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STP57N65M5

STP57N65M5

僅供參考

型號 STP57N65M5
PNEDA編號 STP57N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 18,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP57N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP57N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP57N65M5, STP57N65M5數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,358.73 KB)
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STP57N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs98nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

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