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STP60N3LH5

STP60N3LH5

僅供參考

型號 STP60N3LH5
PNEDA編號 STP60N3LH5
描述 MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP60N3LH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP60N3LH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP60N3LH5, STP60N3LH5數據表 (總頁數: 21, 大小: 747.43 KB)
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STP60N3LH5規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)48A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

364pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-WPAK

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

170V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

400nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1670W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

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功耗(最大值)

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