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STP75N75F4

STP75N75F4

僅供參考

型號 STP75N75F4
PNEDA編號 STP75N75F4
描述 MOSFET N CH 75V 78A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 11,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP75N75F4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP75N75F4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP75N75F4, STP75N75F4數據表 (總頁數: 12, 大小: 479.8 KB)
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STP75N75F4規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)78A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs76nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5015pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Ta), 194A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5940pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5415pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

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