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STP77N6F6

STP77N6F6

僅供參考

型號 STP77N6F6
PNEDA編號 STP77N6F6
描述 MOSFET N CH 60V 77A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 16,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP77N6F6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP77N6F6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STP77N6F6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)77A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 38.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs76nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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STMicroelectronics

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.1W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

143A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 71.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1036nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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