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STP7N60M2

STP7N60M2

僅供參考

型號 STP7N60M2
PNEDA編號 STP7N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,288
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP7N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP7N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP7N60M2, STP7N60M2數據表 (總頁數: 26, 大小: 606.86 KB)
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STP7N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs950mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds271pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2865pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.41W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 360µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

126mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

420nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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