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STP7NM50N

STP7NM50N

僅供參考

型號 STP7NM50N
PNEDA編號 STP7NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP7NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP7NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP7NM50N, STP7NM50N數據表 (總頁數: 17, 大小: 426.81 KB)
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STP7NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs780mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

114pF @ 10V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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