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STP80NF12

STP80NF12

僅供參考

型號 STP80NF12
PNEDA編號 STP80NF12
描述 MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 17,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP80NF12資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP80NF12
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP80NF12, STP80NF12數據表 (總頁數: 13, 大小: 531.7 KB)
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STP80NF12規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)120V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs189nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 6V

FET功能

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功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 89A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14200pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.8pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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