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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

僅供參考

型號 STP8NK80ZFP
PNEDA編號 STP8NK80ZFP
描述 MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP8NK80ZFP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP8NK80ZFP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STP8NK80ZFP規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs46nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1320pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 25V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1877pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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