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STP90N4F3

STP90N4F3

僅供參考

型號 STP90N4F3
PNEDA編號 STP90N4F3
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP90N4F3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP90N4F3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP90N4F3, STP90N4F3數據表 (總頁數: 16, 大小: 800.59 KB)
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STP90N4F3規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

109mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1815pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2630pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

614pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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