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STP9NK70Z

STP9NK70Z

僅供參考

型號 STP9NK70Z
PNEDA編號 STP9NK70Z
描述 MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP9NK70Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP9NK70Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP9NK70Z, STP9NK70Z數據表 (總頁數: 14, 大小: 668.07 KB)
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STP9NK70Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1370pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)115W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 5.8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14685pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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