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STPSC8H065G-TR

STPSC8H065G-TR

僅供參考

型號 STPSC8H065G-TR
PNEDA編號 STPSC8H065G-TR
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STPSC8H065G-TR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STPSC8H065G-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STPSC8H065G-TR, STPSC8H065G-TR數據表 (總頁數: 14, 大小: 214.79 KB)
PDFSTPSC8H065DI數據表 封面
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STPSC8H065G-TR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr80µA @ 650V
電容@ Vr,F414pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D²PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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