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STS01DTP06

STS01DTP06

僅供參考

型號 STS01DTP06
PNEDA編號 STS01DTP06
描述 TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS01DTP06資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS01DTP06
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
STS01DTP06, STS01DTP06數據表 (總頁數: 11, 大小: 306.58 KB)
PDFSTS01DTP06數據表 封面
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STS01DTP06規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 100µA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

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