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STS14N3LLH5

STS14N3LLH5

僅供參考

型號 STS14N3LLH5
PNEDA編號 STS14N3LLH5
描述 MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 47,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS14N3LLH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS14N3LLH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STS14N3LLH5, STS14N3LLH5數據表 (總頁數: 12, 大小: 684.87 KB)
PDFSTS14N3LLH5數據表 封面
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STS14N3LLH5規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs(最大)±22V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 70W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

69pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 550mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 79W (Tc)

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