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STS4DNF30L

STS4DNF30L

僅供參考

型號 STS4DNF30L
PNEDA編號 STS4DNF30L
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS4DNF30L資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS4DNF30L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS4DNF30L, STS4DNF30L數據表 (總頁數: 12, 大小: 595.25 KB)
PDFSTS4DNF30L數據表 封面
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STS4DNF30L規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

562nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Micro Commercial Co

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A, 6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 20V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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