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STS4DNF60

STS4DNF60

僅供參考

型號 STS4DNF60
PNEDA編號 STS4DNF60
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS4DNF60資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS4DNF60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS4DNF60, STS4DNF60數據表 (總頁數: 12, 大小: 324.51 KB)
PDFSTS4DNF60數據表 封面
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STS4DNF60規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds315pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 7.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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