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STT5N2VH5

STT5N2VH5

僅供參考

型號 STT5N2VH5
PNEDA編號 STT5N2VH5
描述 MOSFET N-CH 20V SOT23-6
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STT5N2VH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STT5N2VH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STT5N2VH5, STT5N2VH5數據表 (總頁數: 13, 大小: 839.29 KB)
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STT5N2VH5規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds367pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-6
包裝/箱SOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

117nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 86A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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