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STTH102

STTH102

僅供參考

型號 STTH102
PNEDA編號 STTH102
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 33,882
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH102資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH102
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH102, STTH102數據表 (總頁數: 7, 大小: 102.17 KB)
PDFSTTH102RL數據表 封面
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STTH102規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果970mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點175°C (Max)

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Global Power Technologies Group

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

316pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 266.9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 30V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AR, Axial

供應商設備包裝

DO-204AR

工作溫度-結點

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1.6V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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