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STTH1R02ZFY

STTH1R02ZFY

僅供參考

型號 STTH1R02ZFY
PNEDA編號 STTH1R02ZFY
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 71,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH1R02ZFY資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH1R02ZFY
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH1R02ZFY, STTH1R02ZFY數據表 (總頁數: 8, 大小: 310.08 KB)
PDFSTTH1R02ZFY數據表 封面
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STTH1R02ZFY規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)32ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝SOD-123F
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 250V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-203AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.65V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

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