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STTH2002DI

STTH2002DI

僅供參考

型號 STTH2002DI
PNEDA編號 STTH2002DI
描述 DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,962
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH2002DI資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH2002DI
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH2002DI, STTH2002DI數據表 (總頁數: 15, 大小: 580.88 KB)
PDFSTTH2002G數據表 封面
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STTH2002DI規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Insulated, TO-220AC
供應商設備包裝TO-220AC ins
工作溫度-結點175°C (Max)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

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