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STTH30R06W

STTH30R06W

僅供參考

型號 STTH30R06W
PNEDA編號 STTH30R06W
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A DO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH30R06W資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH30R06W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH30R06W, STTH30R06W數據表 (總頁數: 11, 大小: 394.99 KB)
PDFSTTH30R06P數據表 封面
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STTH30R06W規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)70ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-247-2 (Straight Leads)
供應商設備包裝DO-247
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 45V

電容@ Vr,F

10300pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 7500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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