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STTH4R02

STTH4R02

僅供參考

型號 STTH4R02
PNEDA編號 STTH4R02
描述 DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH4R02資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH4R02
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH4R02, STTH4R02數據表 (總頁數: 14, 大小: 505.25 KB)
PDFSTTH4R02B數據表 封面
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STTH4R02規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AB, DO-32, Axial
供應商設備包裝DO-201AB
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 500V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.45V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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