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STTH4R02

STTH4R02

僅供參考

型號 STTH4R02
PNEDA編號 STTH4R02
描述 DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH4R02資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH4R02
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH4R02, STTH4R02數據表 (總頁數: 14, 大小: 505.25 KB)
PDFSTTH4R02B數據表 封面
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STTH4R02規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AB, DO-32, Axial
供應商設備包裝DO-201AB
工作溫度-結點175°C (Max)

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Infineon Technologies

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

5000V

電流-平均整流(Io)

8010A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 6000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400mA @ 5000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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