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STTH802B

STTH802B

僅供參考

型號 STTH802B
PNEDA編號 STTH802B
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH802B資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH802B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH802B, STTH802B數據表 (總頁數: 17, 大小: 664.58 KB)
PDFSTTH802B數據表 封面
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STTH802B規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr6µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

62ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

300nA @ 100V

電容@ Vr,F

135pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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