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STTH810G

STTH810G

僅供參考

型號 STTH810G
PNEDA編號 STTH810G
描述 DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH810G資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH810G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH810G, STTH810G數據表 (總頁數: 11, 大小: 185.5 KB)
PDFSTTH810G數據表 封面
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STTH810G規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)85ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

410µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

5.4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 250V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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DO-201AD, Axial

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