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STTH8R04G-TR

STTH8R04G-TR

僅供參考

型號 STTH8R04G-TR
PNEDA編號 STTH8R04G-TR
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH8R04G-TR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH8R04G-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH8R04G-TR, STTH8R04G-TR數據表 (總頁數: 14, 大小: 562.85 KB)
PDFSTTH8R04G數據表 封面
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STTH8R04G-TR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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