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STU10NM65N

STU10NM65N

僅供參考

型號 STU10NM65N
PNEDA編號 STU10NM65N
描述 MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU10NM65N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU10NM65N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STU10NM65N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds850pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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