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STU11NM60ND

STU11NM60ND

僅供參考

型號 STU11NM60ND
PNEDA編號 STU11NM60ND
描述 MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU11NM60ND資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU11NM60ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STU11NM60ND, STU11NM60ND數據表 (總頁數: 19, 大小: 764.57 KB)
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STU11NM60ND規格

制造商STMicroelectronics
系列FDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds850pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 5V

Vgs(最大)

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