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STU85N3LH5

STU85N3LH5

僅供參考

型號 STU85N3LH5
PNEDA編號 STU85N3LH5
描述 MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU85N3LH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU85N3LH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STU85N3LH5, STU85N3LH5數據表 (總頁數: 16, 大小: 809.16 KB)
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STU85N3LH5規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 5V
Vgs(最大)±22V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1850pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 208µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

166nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12100pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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