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STW40N65M2

STW40N65M2

僅供參考

型號 STW40N65M2
PNEDA編號 STW40N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 32A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW40N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW40N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW40N65M2, STW40N65M2數據表 (總頁數: 12, 大小: 420.68 KB)
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STW40N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs99mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2355pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1172pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

980mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

364pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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