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STW43NM60N

STW43NM60N

僅供參考

型號 STW43NM60N
PNEDA編號 STW43NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW43NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW43NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STW43NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs88mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)255W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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