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STW45N65M5

STW45N65M5

僅供參考

型號 STW45N65M5
PNEDA編號 STW45N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 35A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 16,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW45N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW45N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW45N65M5, STW45N65M5數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,268.71 KB)
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STW45N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs91nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3375pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)210W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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