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STW65N60DM6

STW65N60DM6

僅供參考

型號 STW65N60DM6
PNEDA編號 STW65N60DM6
描述 N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW65N60DM6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW65N60DM6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW65N60DM6, STW65N60DM6數據表 (總頁數: 14, 大小: 358.43 KB)
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STW65N60DM6規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)38A
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 190µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

761pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

53W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta), 46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2882pF @ 25V

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290W (Tc)

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