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STW75NF30

STW75NF30

僅供參考

型號 STW75NF30
PNEDA編號 STW75NF30
描述 MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 15,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW75NF30資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW75NF30
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW75NF30, STW75NF30數據表 (總頁數: 12, 大小: 616.87 KB)
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STW75NF30規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs164nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5930pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)320W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 138W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Micro Commercial Co

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

200mW (Ta)

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