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STW78N65M5

STW78N65M5

僅供參考

型號 STW78N65M5
PNEDA編號 STW78N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW78N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW78N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW78N65M5, STW78N65M5數據表 (總頁數: 14, 大小: 953.88 KB)
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STW78N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)69A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs203nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9000pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

225W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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