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STWA68N60M6

STWA68N60M6

僅供參考

型號 STWA68N60M6
PNEDA編號 STWA68N60M6
描述 N-CHANNEL 600 V 35 MOHM TYP. 63
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STWA68N60M6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STWA68N60M6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STWA68N60M6, STWA68N60M6數據表 (總頁數: 13, 大小: 498.88 KB)
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STWA68N60M6規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)63A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs41mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.75V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs106nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4360pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)390W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 Long Leads
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

580nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13940pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

780mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.58mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7790pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

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