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STX112

STX112

僅供參考

型號 STX112
PNEDA編號 STX112
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STX112資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STX112
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STX112, STX112數據表 (總頁數: 9, 大小: 337.24 KB)
PDFSTX112-AP數據表 封面
STX112-AP數據表 頁面 2 STX112-AP數據表 頁面 3 STX112-AP數據表 頁面 4 STX112-AP數據表 頁面 5 STX112-AP數據表 頁面 6 STX112-AP數據表 頁面 7 STX112-AP數據表 頁面 8 STX112-AP數據表 頁面 9

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STX112規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大1.2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.2mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Comchip Technology

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2.2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

SOT-32

TIP32C

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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JANTX2N2432

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

0.15mV @ 500µA, 10V

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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