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STY100NS20FD

STY100NS20FD

僅供參考

型號 STY100NS20FD
PNEDA編號 STY100NS20FD
描述 MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STY100NS20FD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STY100NS20FD
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STY100NS20FD規格

制造商STMicroelectronics
系列MESH OVERLAY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝MAX247™
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 30.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

371nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7407pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

520W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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