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STY34NB50

STY34NB50

僅供參考

型號 STY34NB50
PNEDA編號 STY34NB50
描述 MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STY34NB50資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STY34NB50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STY34NB50規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs223nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝MAX247™
包裝/箱TO-247-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta), 34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1194pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

890mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1013pF @ 12V

FET功能

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功耗(最大值)

660mW (Ta), 32.9W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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