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SUD50P08-26-E3

SUD50P08-26-E3

僅供參考

型號 SUD50P08-26-E3
PNEDA編號 SUD50P08-26-E3
描述 MOSFET P-CH 80V 50A TO252
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUD50P08-26-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUD50P08-26-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUD50P08-26-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs155nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5160pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)8.3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

169nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 5.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.06nF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3110pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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