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SUM110N03-04P-E3

SUM110N03-04P-E3

僅供參考

型號 SUM110N03-04P-E3
PNEDA編號 SUM110N03-04P-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM110N03-04P-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM110N03-04P-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUM110N03-04P-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 3.7A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1447pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

360mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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450W (Tc)

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