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SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3

僅供參考

型號 SUM110P04-05-E3
PNEDA編號 SUM110P04-05-E3
描述 MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM110P04-05-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM110P04-05-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUM110P04-05-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)15W (Ta), 375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.43nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3990pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.85mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6721pF @ 12V

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功耗(最大值)

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-

功耗(最大值)

290W (Tc)

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