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SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3

僅供參考

型號 SUM50020E-GE3
PNEDA編號 SUM50020E-GE3
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO263
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM50020E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM50020E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SUM50020E-GE3, SUM50020E-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 134.43 KB)
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SUM50020E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs128nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11150pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.35mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1502pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

67W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4234pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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