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SUM80090E-GE3

SUM80090E-GE3

僅供參考

型號 SUM80090E-GE3
PNEDA編號 SUM80090E-GE3
描述 MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM80090E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM80090E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUM80090E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列ThunderFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)128A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3425pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247

包裝/箱

TO-247-3

IRF3515S

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB70N04S406ATMA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

58W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 155A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4970pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1314pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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