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SUP70101EL-GE3

SUP70101EL-GE3

僅供參考

型號 SUP70101EL-GE3
PNEDA編號 SUP70101EL-GE3
描述 MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUP70101EL-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUP70101EL-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SUP70101EL-GE3, SUP70101EL-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 159.88 KB)
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SUP70101EL-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs190nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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技術

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

285mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7350pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

333W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7015pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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