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TBC857B,LM

TBC857B,LM

僅供參考

型號 TBC857B,LM
PNEDA編號 TBC857B-LM
描述 X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TBC857B資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TBC857B,LM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TBC857B規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 100mA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)30nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce210 @ 2mA, 5V
功率-最大320mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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50mA

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10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

100MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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100 @ 150mA, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

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