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TC4425EPA

TC4425EPA

僅供參考

型號 TC4425EPA
PNEDA編號 TC4425EPA
描述 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC4425EPA資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC4425EPA
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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TC4425EPA規格

制造商Microchip Technology
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)3A, 3A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)23ns, 25ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 17V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

120V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-VSON (4x4)

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Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

HIP6601BECB-T

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

15V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

8-SOIC-EP

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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