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TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

僅供參考

型號 TC58CVG2S0HRAIG
PNEDA編號 TC58CVG2S0HRAIG
描述 IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 0
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58CVG2S0HRAIG資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58CVG2S0HRAIG
類別半導體內存IC內存
數據表
TC58CVG2S0HRAIG, TC58CVG2S0HRAIG數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,628.74 KB)
PDFTC58CVG2S0HQAIE數據表 封面
TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 2 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 3 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 4 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 5 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 6 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 7 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 8 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 9 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 10 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 11

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TC58CVG2S0HRAIG規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間280µs
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH, PSRAM

內存大小

512Mb (32M x 16), 512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Winbond Electronics

系列

SpiFlash®

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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