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TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

僅供參考

型號 TC58NVG1S3HBAI4
PNEDA編號 TC58NVG1S3HBAI4
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,159
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58NVG1S3HBAI4資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58NVG1S3HBAI4
類別半導體內存IC內存

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TC58NVG1S3HBAI4規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-TFBGA (9x11)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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寫周期-字,頁

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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