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TC6320K6-G

TC6320K6-G

僅供參考

型號 TC6320K6-G
PNEDA編號 TC6320K6-G
描述 MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC6320K6-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC6320K6-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TC6320K6-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-DFN (4x4)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

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2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

337pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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