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TC6321T-V/9U

TC6321T-V/9U

僅供參考

型號 TC6321T-V/9U
PNEDA編號 TC6321T-V-9U
描述 MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC6321T-V/9U資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC6321T-V/9U
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TC6321T-V/9U, TC6321T-V/9U數據表 (總頁數: 26, 大小: 418.5 KB)
PDFTC6321T-V/9U數據表 封面
TC6321T-V/9U數據表 頁面 2 TC6321T-V/9U數據表 頁面 3 TC6321T-V/9U數據表 頁面 4 TC6321T-V/9U數據表 頁面 5 TC6321T-V/9U數據表 頁面 6 TC6321T-V/9U數據表 頁面 7 TC6321T-V/9U數據表 頁面 8 TC6321T-V/9U數據表 頁面 9 TC6321T-V/9U數據表 頁面 10 TC6321T-V/9U數據表 頁面 11

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TC6321T-V/9U規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 25V, 200pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-VDFN (6x5)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2940pF @ 25V

功率-最大

65W

工作溫度

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Surface Mount

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-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

125mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18.5pF @ 5V

功率-最大

200mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

功率-最大

280mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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