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TF408-3-TL-HX

TF408-3-TL-HX

僅供參考

型號 TF408-3-TL-HX
PNEDA編號 TF408-3-TL-HX
描述 JFET N-CH 10MA 30MW USFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF408-3-TL-HX資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF408-3-TL-HX
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF408-3-TL-HX, TF408-3-TL-HX數據表 (總頁數: 6, 大小: 314.49 KB)
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TF408-3-TL-HX規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
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90mA @ 18V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

40mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

12 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1A

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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